英飞凌
 日本三菱
 TYCO
 日本富士
 日本三社
 西门康
 IYXS
 EPCOS 爱普科斯
 博飞宏大全国总代理
 
电话:0532-66760325
传真:0532-84688804
手机:18561704546
邮箱:sdsshao_001@163.com
网址:www.qdigbt.com
 
·首页 > 产品中心
    产品中心
日本三菱
 整流逆变制动模块 (DIPCIB™ )
性能特点
采用LPT-CSTBTTM硅片技术,饱和压降低
整流、逆变、制动、NTC温度检测一体化压注模小型封装
绝缘导热膜使得模块热阻小
内置NTC温度传感器
完全无铅化,符合RoHS指令
应用领域
通用变频器(0.75kW~5.5kW/AC380V)
伺服驱动器
电路拓扑
封装尺寸
DIPCIB™ Modules
 
电路拓扑 VCES (V) Ic(A)
10 15 20 25 30
7单元 1200 CP10TD1-24 CP15TD1-24   CP25TD1-24  
7单元 600     CP20TD1-12A   CP30TD1-12A

 高压IGBT模块 (HVIGBT)
性能特点
H系列:采用平板型IGBT硅片,其可靠性已得到业界公认
N系列:采用 CSTBTTM硅片,进一步降低损耗,缩小体积
N系列B型:采用 CSTBTTM硅片,封装与H系列兼容
续流二极管:软恢复特性,保证良好的EMI性能
基板:有Cu和AlSiC两种
额定电压:从1700V到6500V
额定电流:从200A到2400A
绝缘电压:从4.0kVrms到10.2kVrms
应用领域
牵引和大功率变频传动
电力传输
DC斩波器装置
HVIGBT Modules
VCES(V) 产品
代数
(基板
材料)
电路拓扑 Ic(A)
200 400 600 800 900 1000 1200 1500 1600 1800 2400
1700 G1
(Cu)
1

      CM800HA
-34H
(60KB)
    CM1200HA
-34H
(48KB)
       
2

    CM600DY
-34H
(49KB)
               
斩波单元     CM600E2Y
-34H
(49KB)
               
G3
(AlSiC)
1

            CM1200HC
-34H
(63KB)
  CM1600HC
-34H
(63KB)
CM1800HC
-34H
(65KB)
CM2400HC
-34H
(65KB)
2

      CM800DZ
-34H
(61KB)
             
G4
(Cu)
2

      CM800DZB
-34N
(91KB)
    CM1200DB
-34N
(59KB)
       
G4
(AlSiC)
1

            CM1200HCB
-34N
(94KB)
    CM1800HC
-34N
(57KB)
CM2400HC
-34N
(58KB)
                  CM1800HCB
-34N
(92KB)
CM2400HCB
-34N
(95KB)
2

            CM1200DC
-34N
(59KB)
       
斩波单元             CM1200E4C
-34N
(58KB)
       
2500 G1
(Cu)
1

      CM800HA
-50H
    CM1200HA
-50H
(45KB)
       
2

  CM400DY
-50H
(47KB)
                 
G2
(Cu)
1

      CM800HB
-50H
(47KB)
    CM1200HB
-50H
(51KB)
       
G3
(AlSiC)
1

            CM1200HC
-50H
(68KB)
       
3300 G1
(Cu)
1

      CM800HA
-66H
(43KB)
    CM1200HA
-66H
(45KB)
       
2

  CM400DY
-66H
(45KB)
                 
斩波单元       CM800E2Z
-66H
(51KB)
             
G2
(Cu)
1

      CM800
HB
-66H
(47KB)
    CM1200HB
-66H
(51KB)
       
G3
(AlSiC)
1

      CM800HC
-66H
(65KB)
    CM1200HC
-66H
(68KB)
       
斩波单元       CM800E2C
-66H
(51KB)
             
      CM800E4C
-66H
             
      CM800E6C
-66H
(67KB)
             
G4
(AlSiC)
1

  CM400HG
-66H
(60KB)
  CM800HG
-66H
  CM1000E4C-66R
(110KB)
CM1200HG
-66H
(65KB)
CM1500HC-66R
(111KB)
     
4500 G2
(Cu)
1

  CM400HB
-90H
(58KB)
CM600HB
-90H
(60KB)
  CM900HB
-90H
(64KB)
           
G3
(AlSiC)
1

        CM900HC
-90H
(86KB)
           
G4
(AlSiC)
1

    CM600HG
-90H
  CM900HG
-90H
           
6500 G4
(AlSiC)
1

CM200HG
-130H
(100KB)
CM400HG
-130H
CM600HG
-130H
(106KB)
               
斩波单元   CM400E2G
-130H
                 
  CM400E4G
-130H
               

 高压二极管模块(R系列)
高压二极管模块(R系列)
损耗低
AlSiC 基板型
连接 VRRM(V) Ic(A)
记号 连接图 1000
D 3300 RM1000DC-66F★★
RM6
高耐压二极管模块
绝缘耐压高
AlSiC 基板型
连接 VRRM(V) Ic(A)
记号 连接图 200 300 400 600 1200
D 连接图 3300     RM400DG-66S   RM1200DG-66S
RM4 RM4
4500   RM300DG-90S      
RM4
6500 RM200DG-130S     RM600DG-130S  
RM4 RM4

高耐压二极管模块
AlSiC 基板型
连接 VRRM(V) Ic(A)
记号 连接图 600 900 1200 1800
H 连接图 1700       RM1800HE-34S
RM2
3300     RM1200HE-66S  
RM2
4500 RM600HE-90S RM900HC-90S    
RM2 RM3

高耐压二极管模块
铜基板型
连接 VRRM(V) Ic(A)
记号 连接图 400 600 900 1200
D 连接图 1700       RM1200DB-34S
RM5
3300 RM400DY-66S
(31KB)
RM600DY-66S
(31KB)
  RM1200DB-66S
RM1 RM3
4500     RM900DB-90S  
RM3


 MOSFET模块
性能特点
超低损耗:采用沟槽型MOSFET硅片,具有低通态压降
方便安装:栅极、源极信号接线端子采用标准接插件
电路拓扑:全桥逆变,可灵活使用实现大容量化、斩波电路等
高可靠性:内置NTC温度传感器
所有产品均满足RoHS标准
电流等级:100A/200A/300A
电压等级:75V/100V/150V
应用领域
电动叉车等低压变频领域
MOSFET Modules
电路拓扑 VDSS(V)   ID(A)  
100 200 300
6单元 75 FM200TU-07A
(107KB)
FM400TU-07A
(107KB)
FM600TU-07A
(107KB)
100 FM200TU-2A
(107KB)
FM400TU-2A
(107KB)
FM600TU-2A
(108KB)
150 FM200TU-3A
(108KB)
FM400TU-3A
(108KB)
FM600TU-3A
(107KB)

 高压集成电路(HVIC)
性能特点
高低压控制:采用三菱特有的多重场屏技术实现同一芯片上的高低压控制
直接驱动: 使用HVIC可以不用光耦直接驱动功率器件
单电源化: 外部附加自举充电电路,实现上下臂单电源驱动
应用领域
通用变频变频器,变频家用电器,AC伺服电机,DC无刷电机,荧光灯以及PDP中的功率MOS/IGBT的驱动。
封装尺寸
HVIC
型号 浮动输入电压(V) 输出电流(A) 元件驱动类型 死区时间控制 封装外形 备注
M63954P
(79KB)
600 ±0.5 半桥 外部 16P4 内置互锁电路
M63975FP
(43KB)
24 ±0.5 低压侧 10P2N
M63991FP
(77KB)
600 ±0.5 半桥 外部 16P2N 内置互锁电路
M63992FP
(77KB)
600 ±2.0 半桥 外部 16P2N 内置互锁电路
M63993FP
(104KB)
600 ±0.3 3Φ桥 外部 36P2R 内置互锁电路
M63994FP
(84KB)
600 ±0.5 半桥 内部 8P2S
M63996FP 600 ±2.0 半桥 外部 16P2N
M81700FP
(52KB)
600 ±2.0 半桥 外部 16P2N 内置SD/互锁电路
M81701FP
(49KB)
600 ±2.0 半桥 外部 16P2N 内置互锁电路
M81702FP
(51KB)
600 ±2.0 半桥 外部 16P2N 内置SD电路
M81703FP
(48KB)
600 ±2.0 半桥 外部 16P2N
M81705FP
(48KB)
600 +0.5/-0.125 高压侧 8P2S
M81706AFP
(354KB)
600 +0.12/-0.25 半桥 外部 8P2S 内置互锁电路
M81707FP
(80KB)
600 ±0.1 双管高压侧 外部 16P2N
M81708FP
(78KB)
600 +0.12/-0.25 半桥 外部 16P2N 内置互锁电路
M81709FP
(78KB)
600 ±2.0 半桥 外部 16P2N 内置互锁电路
M81713FP 600 ±0.5 半桥 内部 8P2S
M81019FP 1200 ±1.0 半桥 外部 24P2Q 内置互锁电路
M81711FP
(71KB)
24 ±0.5 双管低压侧 8P2S
M81716FP
(67KB)
24 ±0.5 双管低压侧 8P2S
M81712FP 600 +0.2/-0.35 3Φ桥 外部 28X9R 内置互锁电路
M81719FP
(77KB)
600 +0.12/-0.25 半桥 外部 8P2S
M81721FP 600 ±1.0 半桥 外部 24P2Q 内置互锁电路
M81722FP 600 ±3.0 半桥 外部 8P2S
M81723FP 300 ±0.1 双管高压侧 16P2N
M81725FP 600 ±3.0 半桥 8P2S
M81731FP 600 ±1.0 双管高压侧 16P2N
M63958FP 600 +0.5/-0.25 半桥 内部 16P2N


首页 | 公司简介 | 产品展示 | 新闻资讯 | 在线留言 | 联系方式
    版权所有:青岛飞瑞达科技有限公司  地址:青岛市李沧区万达广场8-2-1904  电话:0532-66760325   传真:0532-84688804   手机:18561704546
邮箱:sdsshao_001@163.com  网址:www.qdigbt.com