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Full Bridge IGBT Modules
 
Features:
  • Vces: 600V and 1200V. Ic(25): 45A - 165A
  • NPT or NPT³ IGBT with low Vce(sat), low switching losses, high RBSOA and short circuit ruggedness
  • short tail current for optimized performance in resonant circuits
  • Hiperfast diodes with soft recovery
  • Package with insulated copper base plate(2500V rms)and pins for PCB mounting
 
 

PartNumber

 

Vces

(V)

IC25
Tc=25°C
IGBT

(A)

IC80
Tc=80°C
IGBT

(A)

VCE(sat)
typ
Tj=25°C
IGBT

(V)

Eoff
typ
Tj=125°C
IGBT

(mJ)

RthJC
max
IGBT

(K/W)

IF25
Tc=25°C
Diode

(A)

IF80
Tc=80°C
Diode

(A)

RthJC
max
Diode

(K/W)

Configuration

 

PackageStyle

 

MKI50-12F7

1200

65

45

3.2

2.5

0.35

110

70

 

Full Bridge

E2

MKI50-12E7

1200

90

62

1.9

4

0.35

110

70

0.61

Full Bridge

E2

MKI100-12F8

1200

125

85

3.3

5

0.19

200

130

 

Full Bridge

E3

MKI75-12E8

1200

130

90

2

7.5

0.25

150

100

0.41

Full Bridge

E3

MKI100-12E8

1200

165

115

2

10

0.19

200

130

0.3

Full Bridge

E3

MKI50-06A7

600

72

50

1.9

1.7

0.55

72

45

1.19

Full Bridge

E2

MKI80-06T6K

600

89

67

1.8

2.8

0.6

105

67

0.65

Full Bridge

E1-Package

MKI75-06A7

600

90

60

2.1

2.5

0.44

140

85

0.61

Full Bridge

E2

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