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BiMOSFETs
 
Features:
  • VCES: 1400V, 1600V and 1700V
  • Ic(25): 5.7A-70A
  • Non-Epitaxial construction and new fabrication process
  • combined strengths of MOSFET & IGBT
  • Fast and equally rated Body Diode
  • Positive Temp Coefficient of IGBT and Diode facilitates paralleling.
  • Low Vce(sat) and very fast swiching varieties.
 
 

PartNumber

 

VCES

(V)

IC25
TC=25°C

(A)

IC90
TC=90°C

(A)

IC110
TC=110°C

(A)

VCE(sat)
typ
TJ=25°C

(V)

tftyp
TJ=25°C

(ns)

TJ tfityp =25°C

(ns)

Gatedrive

(V)

RthJC
max

(°C/W)

PackageStyle

 

IXBF12N300

3000

22

12

 

3.2

540

 

15

1.25

ISOPLUS I4-PAK

IXBF20N300

3000

27

15

 

3.2

504

 

15

1.13

ISOPLUS I4-PAK

IXBH12N300

3000

30

 

 

3.2

530

 

15

0.78

TO-247

IXBT12N300

3000

30

 

12

3.2

540

 

15

0.78

TO-268

IXBF32N300

3000

40

22

 

3.2

630

 

15

0.78

ISOPLUS I4-PAK

IXBH20N300

3000

50

 

20

3.2

504

 

15

0.5

TO-247

IXBT20N300

3000

50

 

20

3.2

504

 

15

0.5

TO-268

IXBF55N300

3000

73

 

28

3.2

268

 

15

0.43

ISOPLUS I4-Pak

IXBH32N300

3000

80

 

32

3.2

720

 

15

0.31

TO-247

IXBT32N300

3000

80

 

32

3.2

720

 

15

0.31

TO-268

IXBK55N300

3000

130

 

55

3.2

268

 

 

0.2

TO-264

IXBX55N300

3000

130

 

55

3.2

268

 

 

0.2

PLUS247

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