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 BiMOSFETs
 
Features:
  • VCES: 1400V, 1600V and 1700V
  • Ic(25): 5.7A-70A
  • Non-Epitaxial construction and new fabrication process
  • combined strengths of MOSFET & IGBT
  • Fast and equally rated Body Diode
  • Positive Temp Coefficient of IGBT and Diode facilitates paralleling.
  • Low Vce(sat) and very fast swiching varieties.
 
 

PartNumber

 

VCES

(V)

IC25
TC=25°C

(A)

IC90
TC=90°C

(A)

IC110
TC=110°C

(A)

VCE(sat)
typ
TJ=25°C

(V)

tftyp
TJ=25°C

(ns)

TJ tfityp =25°C

(ns)

Gatedrive

(V)

RthJC
max

(°C/W)

PackageStyle

 

IXBH2N250

2500

5

 

2

3.5

182

 

15

3.9

TO-247

IXBT2N250

2500

5

 

2

3.5

182

 

15

3.9

TO-268

IXBX25N250

2500

55

25

 

3.3

640

 

 

0.42

PLUS247

IXBL64N250

2500

116

 

46

3

170

 

 

0.25

ISOPLUS I5-PAK

IXBK64N250

2500

156

 

64

3

170

 

 

0.17

TO-264

IXBX64N250

2500

156

 

64

3

170

 

 

0.17

PLUS247

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