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性能特点
替代第3代DSA系列,V系列和HSA系列IPM
采用全栅型CSTBTTM硅片具有低损耗
    600V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.55V ---> 1.75V
    1200V: Vce(sat)(@Tj=125˚C)=2.6V ---> 1.85V
优化片上温度传感器
新的结线技术显著改善功率循环
兼容现有V系列小封装
SXR端子提供稳压电源供外部光耦使用(可选)
V1系列IPM使得变频器的功率损耗与传统产品相比,降低约20%
    (PM300DV1A120与PM300DVA120相比较)
内部框图

应用领域
高端通用变频器、伺服电机驱动器等
封装尺寸
120mm×70mm
IPM (V1 series)
VCES (V) 结构 Ic(A)
200 300 400 450 600
600 2单元     PM400DV1A060 (411KB)   PM600DV1A060 (410KB)
1200 2单元 PM200DV1A120 (410KB) PM300DV1A120 (410KB)   PM450DV1A120 (412KB)  

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