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性能特点
采用第6代IGBT硅片技术,损耗低
二极管采用第6代LPT硅片技术,正向导通压降低
硅片结温可高达175°C
硅片运行温度最高可达150°C
内部集成NTC测温电阻
全系列共享同一封装平台
有条件接受客户定制
第6代NX系列IGBT模块产品一览(1200V)
第6代NX系列IGBT模块产品一览(1200V)
电流 NX-M NX-L
CIB 7单元 6单元 2单元 2单元
25 CM35MXA-24S        
50 CM50MXA-24S        
75 CM75MXA-24S CM75RX-24S CM75TX-24S    
100 CM100MXA-24S CM100RX-24S CM100TX-24S    
150   CM150RX-24S CM150TX-24S    
200       CM200DX-24S  
300       CM300DX-24S  
450       CM450DX-24S  
600         CM600DXL-24S
1000         CM1000DXL-24S
第6代NX系列IGBT模块产品一览(1700V)
电流 NX-M NX-L
CIB 7单元 6单元 2单元 2单元
50   CM50RX-34S CM50TX-34S    
75   CM75RX-34S CM75TX-34S    
100     CM100TX-34S    
150       CM150DX-34S  
200       CM200DX-34S  
300       CM300DX-34S  
400         CM400DXL-34S
600         CM600DXL-34S

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