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性能特点
采用CSTBTTM硅片技术
饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小
比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%,在相同输出电流时ΔT(j-f)低15%
成本优化的封装
内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层,热阻小
模块内部寄生电感小
功率循环能力显著改善
应用领域
适合中、低端变频器产品设计
封装尺寸


IGBT Modules (A series)

电路拓扑 VCES(V) Ic(A)
75 100 150 200 300 400 600
2单元 1200   CM100DY
-24A
(45KB)
CM150DY
-24A
(45KB)
CM200DY
-24A
(45KB)
CM300DY
-24A
(45KB)
CM400DY
-24A
(48KB)
CM600DY
-24A
(49KB)
1700 CM75DY
-34A

(110KB)
CM100DY
-34A

(101KB)
CM150DY
-34A

(121KB)
CM200DY
-34A

(102KB)
CM300DY
-34A

(100KB)
CM400DY
-34A

(126KB)
 
1单元 1200V             CM600HA
-24A

(117KB)
          CM400HA
-24A

(118KB)
CM600HB
-24A











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